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发布时间： 2023/6/5 10:05:20 | 54 次阅读
威世 Vishay SI2319DDS-T1-GE3 Qty：9K
SPQ:3000/reel DC：22%2B
分立半导体 MOS晶体管 贴片型P通道
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类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
类别 | 分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET | |
制造商 | Vishay Siliconix | |
系列 | TrenchFET? Gen III |
产品状态 | 在售 | |
FET 类型 | P 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 40 V | |
25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.7A（Ta），3.6A（Tc） | |
驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On） | 4.5V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值） | 75 毫欧 @ 2.7A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值） | 2.5V @ 250?A | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值） | 19 nC @ 10 V | |
Vgs（zui大值） | ?20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值） | 650 pF @ 20 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（zui大值） | 1W（Ta），1.7W（Tc） | |
工作温度 | -55?C ~ 150?C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） | |
封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 属性 | 描述 |
|---|---|
| RoHS 状态 | 符合 ROHS3 规范 |
| 湿气敏感性等级 (MSL) | 1（无限） |
| REACH 状态 | 非 REACH 产品 |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| 标准包装 | 3,000 |
