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发布时间： 2023/6/9 11:15:57 | 126 次阅读
Vishay 分立半导体 MOSFE 表面贴装行N通道
威世 SQJ488EP-T2_GE3 汽车级
封装：PowerPAK? SO-8
数量：18k
DC：22%2B
LT：2-3weeks
MSL:1
标准包装：3000/reel
产品状态在售FET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）100 V25?C 时电流 - 连续漏极 (Id)42A（Tc）驱动电压（zui大 Rds On，zui小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（zui大值）21 毫欧 @ 7.1A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（zui大值）2.5V @ 250?A不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（zui大值）27 nC @ 10 VVgs（zui大值）?20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（zui大值）978 pF @ 50 VFET 功能-功率耗散（zui大值）83W（Tc）工作温度-55?C ~ 175?C（TJ）
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